SOI Wafers

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

SOI ۋافېر ساندۋىچقا ئوخشايدىغان قۇرۇلما بولۇپ ، ئۈچ قەۋىتى بار.ئۈستۈنكى قەۋەت (ئۈسكۈنە قەۋىتى) ، كۆمۈلۈپ قالغان ئوكسىگېن قەۋىتىنىڭ ئوتتۇرىسى (ئىزولياتورلۇق SiO2 قەۋىتى ئۈچۈن) ۋە ئاستى ئاستى ئاستى (كۆپ مىقداردا كرېمنىي) نى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.SOI ۋافېرلىرى SIMOX ئۇسۇلى ۋە ۋافېر باغلاش تېخنىكىسى ئارقىلىق ئىشلەپچىقىرىلىدۇ ، بۇ تېخىمۇ نېپىز ۋە تېخىمۇ توغرا بولغان ئۈسكۈنىلەرنىڭ قەۋىتى ، قېلىنلىقى ۋە كەمتۈك زىچلىقى تۆۋەن بولىدۇ.

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ

مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

SOI Wafers (1)

ئىلتىماس مەيدانى

1. يۇقىرى سۈرئەتلىك توپلاشتۇرۇلغان توك يولى

2. مىكرو دولقۇنلۇق ئۈسكۈنىلەر

3. يۇقىرى تېمپېراتۇرا توپلاشتۇرۇلغان توك يولى

4. توك ئۈسكۈنىلىرى

5. تۆۋەن قۇۋۋەتلىك توپلاشتۇرۇلغان توك يولى

6. MEMS

7. تۆۋەن بېسىملىق توپلاشتۇرۇلغان توك يولى

Item		تالاش-تارتىش
ئومۇمەن	Wafer Diameter 晶圆尺寸 (mm)	50/75/100/125/150/200mm ± 25um
	Bow / Warp 翘曲度 (	<10um
	Particles 颗粒度 (	0.3um <30ea
	Flats / Notch 定位边 / 定位槽	تەكشى ياكى Notch
	Edge Exclusion 边缘去除 (mm)	/
Device Layer 器件层	ئۈسكۈنە قەۋىتى تىپى / دوپپا 器件层掺杂类型	N-Type / P-Type B / P / Sb / As
	ئۈسكۈنە-قەۋەت يۆنىلىشى 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	ئۈسكۈنە قەۋىتى قېلىن 器件层厚度 (um)	0.1 ~ 300um
	ئۈسكۈنىنىڭ قەۋىتى قارشىلىق 器件层电阻率 (ohm • cm)	0.001 ~ 100,000 ohm-cm
	ئۈسكۈنە قاتلىمى 器件层颗粒度 (	<30ea@0.3
	ئۈسكۈنە قەۋىتى TTV 器件层 TTV (	<10um
	Device Layer Finish 器件层表面处理	پولشا
BOX	كۆمۈلۈپ قالغان ئىسسىقلىق ئوكسىد قېلىنلىقى 埋氧层 um (um)	50nm (500Å) ~ 15um
بىر تەرەپ قىلىش 衬底	Wafer Type / Dopant نى بىر تەرەپ قىلىڭ 衬底层类型	N-Type / P-Type B / P / Sb / As
	Wafer يۆنىلىشىنى بىر تەرەپ قىلىڭ 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Wafer قارشىلىق كۈچىنى بىر تەرەپ قىلىڭ 衬底电阻率 (ohm • cm)	0.001 ~ 100,000 ohm-cm
	Wafer قېلىنلىقىنى بىر تەرەپ قىلىڭ 衬底厚度 (um)	> 100um
	Wafer Finish نى بىر تەرەپ قىلىڭ 衬底表面处理	پولشا
نىشان ئۆلچىمىنىڭ SOI ۋافېرلىرىنى خېرىدارلارنىڭ تەلىپىگە ئاساسەن خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ.