مەھسۇلات چۈشەندۈرۈشى
شىركىتىمىز گرافت ، ساپال بۇيۇملار ۋە باشقا ماتېرىياللارنىڭ يۈزىدە CVD ئۇسۇلى ئارقىلىق SiC سىرلاش جەريانى مۇلازىمىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ ، شۇڭا كاربون ۋە كرېمنىي بولغان ئالاھىدە گازلار يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئىنكاس قايتۇرۇپ ، يۇقىرى ساپلىقتىكى SiC مولېكۇلاسى ، سىرلانغان ماتېرىياللارنىڭ يۈزىگە قويۇلغان مولېكۇلاغا ئېرىشىدۇ. SIC قوغداش قەۋىتىنى شەكىللەندۈرىدۇ.
ئاساسلىق ئىقتىدارلىرى:
1. يۇقىرى تېمپېراتۇرىنىڭ ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش كۈچى:
تېمپېراتۇرا 1600 سېلسىيە گرادۇسقا يەتكەندە ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى يەنىلا ئىنتايىن ياخشى.
2. ساپلىقى يۇقىرى: يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خلورلىنىش شارائىتىدا خىمىيىلىك ھور چۆكۈش ئارقىلىق ياسالغان.
3. چىرىشكە چىدامچانلىقى: قاتتىقلىقى يۇقىرى ، ئىخچام يۈزى ، ئىنچىكە زەررىچىلەر.
4. چىرىشكە قارشى تۇرۇش: كىسلاتا ، ئىشقار ، تۇز ۋە ئورگانىك رېئاكتور.
1111111 斯蒂芬森
11111111111111111
11111111111111111
11111111111111111
11111111111111111
CVD-SIC قاپلاشنىڭ ئاساسلىق ئۆلچىمى
| SiC-CVD خاسلىقى | ||
| خىرۇستال قۇرۇلما | FCC β باسقۇچى | |
| زىچلىقى | g / cm ³ | 3.21 |
| قاتتىقلىق | Vickers hardness | 2500 |
| ئاشلىق چوڭلۇقى | μm | 2 ~ 10 |
| خىمىيىلىك ساپلىق | % | 99.99995 |
| ئىسسىقلىق ئىقتىدارى | J · kg-1 · K-1 | 640 |
| Sublimation Temperature | ℃ | 2700 |
| ئەۋرىشىم كۈچ | MPa (RT 4-نومۇر) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt ئەگمە ، 1300 ℃) | 430 |
| ئىسسىقلىق كېڭەيتىش (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى | (W / mK) | 300 |
