Wafer Cassette

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

Wafer Cassette- يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋافېرنى بىخەتەر بىر تەرەپ قىلىش ۋە ساقلاش ئۈچۈن ئىنچىكە لايىھەلەنگەن بولۇپ ، پۈتكۈل ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدا ئەڭ ياخشى قوغداش ۋە پاكىزلىققا كاپالەتلىك قىلىدۇ.


مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

Semicera'sWafer Cassetteيېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدىكى ھالقىلىق تەركىب ، نازۇك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋافېرنى بىخەتەر ساقلاش ۋە توشۇش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن. TheWafer Cassetteئالاھىدە قوغداش بىلەن تەمىنلەيدۇ ، بىر تەرەپ قىلىش ، ساقلاش ۋە توشۇش جەريانىدا ھەر بىر ۋافېرنىڭ بۇلغىنىش ۋە جىسمانىي زىياندىن ساقلىنىشىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.

يېرىم ساپلىق ، خىمىيىلىك چىداملىق ماتېرىياللار بىلەن ياسالغانWafer Cassetteئەڭ يۇقىرى دەرىجىدىكى پاكىزلىق ۋە چىدامچانلىققا كاپالەتلىك قىلىدۇ ، ئىشلەپچىقىرىشنىڭ ھەر بىر باسقۇچىدا ۋافېرلارنىڭ مۇكەممەللىكىنى ساقلاشتا كەم بولسا بولمايدۇ. بۇ كاسساتلارنىڭ ئىنچىكە قۇرۇلۇشى ئاپتوماتىك بىر تەرەپ قىلىش سىستېمىسى بىلەن يوچۇقسىز بىرلەشتۈرۈلۈپ ، بۇلغىنىش ۋە مېخانىكىلىق بۇزۇلۇش خەۋىپىنى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرەلەيدۇ.

The design of theWafer Cassetteئەڭ ياخشى ھاۋا ئېقىمى ۋە تېمپېراتۇرىنى كونترول قىلىشنى قوللايدۇ ، بۇ ئالاھىدە مۇھىت شارائىتىنى تەلەپ قىلىدىغان جەريانلار ئۈچۈن ئىنتايىن مۇھىم. مەيلى تازىلىق ئۆيىدە ياكى ئىسسىقلىق بىر تەرەپ قىلىش جەريانىدا بولسۇن ، SemiceraWafer Cassetteيېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپىنىڭ قاتتىق تەلىپىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن بولۇپ ، ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمى ۋە مەھسۇلات سۈپىتىنى يۇقىرى كۆتۈرۈش ئۈچۈن ئىشەنچلىك ۋە ئىزچىل ئىقتىدار بىلەن تەمىنلەيدۇ.

تۈرلەر

ئىشلەپچىقىرىش

تەتقىقات

Dummy

خىرۇستال پارامېتىرلار

Polytype

4H

Surface يۆنىلىش خاتالىقى

<11-20> 4 ± 0.15 °

ئېلېكتر پارامېتىرلىرى

Dopant

n تىپلىق ئازوت

قارشىلىق

0.015-0.025ohm · cm

مېخانىكىلىق پارامېتىرلار

دىئامېتىرى

150.0 ± 0.2mm

قېلىنلىق

350 ± 25 mm

دەسلەپكى تەكشى يۆنىلىش

[1-100] ± 5 °

دەسلەپكى تەكشى ئۇزۇنلۇق

47.5 ± 1.5mm

ئىككىلەمچى تەكشى

ياق

TTV

≤5 mm

≤10 mm

≤15 mm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 mm (5mm * 5mm)

≤10 mm (5mm * 5mm)

Bow

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 mm

≤55 mm

ئالدى (Si-face) يىرىكلىكى (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

قۇرۇلمىسى

مىكروپنىڭ زىچلىقى

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

مېتال بۇلغانمىلار

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

00500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

ئالدى سۈپەت

ئالدى

Si

Surface تامام

Si-face CMP

Particles

≤60ea / wafer (size≥0.3μm)

NA

سىزىلغان

≤5ea / mm. جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى ≤ دىئامېتىرى

جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى≤2 * دىئامېتىرى

NA

ئاپېلسىن پوستى / ئورەك / داغ / داغ / يېرىق / بۇلغىنىش

ياق

NA

قىرلىق ئۆزەك / كۆرسەتكۈچ / سۇنۇق / ئالتە تەرەپلىك تەخسە

ياق

كۆپ قۇتۇپلۇق رايونلار

ياق

جۇغلانما رايونى% 20

جۇغلانما رايونى% 30

ئالدى لازېر بەلگىسى

ياق

ئارقا سۈپەت

قايتىش

C-face CMP

سىزىلغان

≤5ea / mm ، جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى ≤2 * دىئامېتىرى

NA

ئارقا كەمتۈكلۈك (قىرلىق ئۆزەك / كۆرسەتكۈچ)

ياق

ئارقا قوپاللىق

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

ئارقا لازېر بەلگىسى

1 مىللىمېتىر (ئۈستى قىردىن)

Edge

Edge

Chamfer

ئورالما

ئورالما

ۋاكۇئۇم ئورالمىسى بىلەن Epi تەييار

كۆپ ۋافېرلىق قەغەز ئورالمىسى

* ئىزاھات NA «NA» تەلەپ قىلىنمىغان تۈرلەرنىڭ SEMI-STD نى كۆرسىتىدۇ.

tech_1_2_size
SiC wafers

  • ئالدىنقى:
  • كېيىنكى: