Semicera'sWafer Cassetteيېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدىكى ھالقىلىق تەركىب ، نازۇك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋافېرنى بىخەتەر ساقلاش ۋە توشۇش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن. TheWafer Cassetteئالاھىدە قوغداش بىلەن تەمىنلەيدۇ ، بىر تەرەپ قىلىش ، ساقلاش ۋە توشۇش جەريانىدا ھەر بىر ۋافېرنىڭ بۇلغىنىش ۋە جىسمانىي زىياندىن ساقلىنىشىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.
يېرىم ساپلىق ، خىمىيىلىك چىداملىق ماتېرىياللار بىلەن ياسالغانWafer Cassetteئەڭ يۇقىرى دەرىجىدىكى پاكىزلىق ۋە چىدامچانلىققا كاپالەتلىك قىلىدۇ ، ئىشلەپچىقىرىشنىڭ ھەر بىر باسقۇچىدا ۋافېرلارنىڭ مۇكەممەللىكىنى ساقلاشتا كەم بولسا بولمايدۇ. بۇ كاسساتلارنىڭ ئىنچىكە قۇرۇلۇشى ئاپتوماتىك بىر تەرەپ قىلىش سىستېمىسى بىلەن يوچۇقسىز بىرلەشتۈرۈلۈپ ، بۇلغىنىش ۋە مېخانىكىلىق بۇزۇلۇش خەۋىپىنى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرەلەيدۇ.
The design of theWafer Cassetteئەڭ ياخشى ھاۋا ئېقىمى ۋە تېمپېراتۇرىنى كونترول قىلىشنى قوللايدۇ ، بۇ ئالاھىدە مۇھىت شارائىتىنى تەلەپ قىلىدىغان جەريانلار ئۈچۈن ئىنتايىن مۇھىم. مەيلى تازىلىق ئۆيىدە ياكى ئىسسىقلىق بىر تەرەپ قىلىش جەريانىدا بولسۇن ، SemiceraWafer Cassetteيېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپىنىڭ قاتتىق تەلىپىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن بولۇپ ، ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمى ۋە مەھسۇلات سۈپىتىنى يۇقىرى كۆتۈرۈش ئۈچۈن ئىشەنچلىك ۋە ئىزچىل ئىقتىدار بىلەن تەمىنلەيدۇ.
تۈرلەر | ئىشلەپچىقىرىش | تەتقىقات | Dummy |
خىرۇستال پارامېتىرلار | |||
Polytype | 4H | ||
Surface يۆنىلىش خاتالىقى | <11-20> 4 ± 0.15 ° | ||
ئېلېكتر پارامېتىرلىرى | |||
Dopant | n تىپلىق ئازوت | ||
قارشىلىق | 0.015-0.025ohm · cm | ||
مېخانىكىلىق پارامېتىرلار | |||
دىئامېتىرى | 150.0 ± 0.2mm | ||
قېلىنلىق | 350 ± 25 mm | ||
دەسلەپكى تەكشى يۆنىلىش | [1-100] ± 5 ° | ||
دەسلەپكى تەكشى ئۇزۇنلۇق | 47.5 ± 1.5mm | ||
ئىككىلەمچى تەكشى | ياق | ||
TTV | ≤5 mm | ≤10 mm | ≤15 mm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 mm (5mm * 5mm) | ≤10 mm (5mm * 5mm) |
Bow | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 mm | ≤55 mm |
ئالدى (Si-face) يىرىكلىكى (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
قۇرۇلمىسى | |||
مىكروپنىڭ زىچلىقى | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
مېتال بۇلغانمىلار | ≤5E10atoms / cm2 | NA | |
BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / cm2 | NA |
TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
ئالدى سۈپەت | |||
ئالدى | Si | ||
Surface تامام | Si-face CMP | ||
Particles | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
سىزىلغان | ≤5ea / mm. جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى ≤ دىئامېتىرى | جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى≤2 * دىئامېتىرى | NA |
ئاپېلسىن پوستى / ئورەك / داغ / داغ / يېرىق / بۇلغىنىش | ياق | NA | |
قىرلىق ئۆزەك / كۆرسەتكۈچ / سۇنۇق / ئالتە تەرەپلىك تەخسە | ياق | ||
كۆپ قۇتۇپلۇق رايونلار | ياق | جۇغلانما رايونى% 20 | جۇغلانما رايونى% 30 |
ئالدى لازېر بەلگىسى | ياق | ||
ئارقا سۈپەت | |||
قايتىش | C-face CMP | ||
سىزىلغان | ≤5ea / mm ، جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى ≤2 * دىئامېتىرى | NA | |
ئارقا كەمتۈكلۈك (قىرلىق ئۆزەك / كۆرسەتكۈچ) | ياق | ||
ئارقا قوپاللىق | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
ئارقا لازېر بەلگىسى | 1 مىللىمېتىر (ئۈستى قىردىن) | ||
Edge | |||
Edge | Chamfer | ||
ئورالما | |||
ئورالما | ۋاكۇئۇم ئورالمىسى بىلەن Epi تەييار كۆپ ۋافېرلىق قەغەز ئورالمىسى | ||
* ئىزاھات NA «NA» تەلەپ قىلىنمىغان تۈرلەرنىڭ SEMI-STD نى كۆرسىتىدۇ. |