كرېمنىيلىق ئىسسىقلىق ئوكسىد ۋافېر

كۆرسەتمە: ئوكسىدلىنىش تىپى

1. قۇرۇق ئوكسىدلىنىش

كرېمنىي ئوكسىگېن بىلەن ئىنكاس قايتۇرىدۇ ، ئوكسىد قەۋىتى ئاساسىي قەۋەتكە قاراپ ھەرىكەت قىلىدۇ. قۇرۇق ئوكسىدلىنىشنى 850 دىن 1200 سېلسىيە گرادۇسقىچە بولغان تېمپېراتۇرىدا ئېلىپ بېرىش كېرەك ، ئۆسۈش سۈرئىتى تۆۋەن ، بۇنى MOS ئىزولياتور دەرۋازىسىنىڭ ئۆسۈشىگە ئىشلىتىشكە بولىدۇ. يۇقىرى سۈپەتلىك ، دەرىجىدىن تاشقىرى نېپىز كرېمنىي ئوكسىد قەۋىتى تەلەپ قىلىنغاندا ، ھۆل ئوكسىدلىنىشتىن قۇرۇق ئوكسىدلىنىشنى ياخشى كۆرىدۇ.

قۇرۇق ئوكسىدلىنىش ئىقتىدارى: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)

2. ھۆل ئوكسىدلىنىش

بۇ ئۇسۇل ھىدروگېن بىلەن يۇقىرى ساپلىقتىكى ئوكسىگېننىڭ ئارىلاشمىسىنى ئىشلىتىپ ~ 1000 سېلسىيە گرادۇستا كۆيۈپ ، سۇ پار ھاسىل قىلىپ ئوكسىد قەۋىتىنى ھاسىل قىلىدۇ. گەرچە ھۆل ئوكسىدلىنىش قۇرۇق ئوكسىدلىنىشقا ئوخشاش يۇقىرى سۈپەتلىك ئوكسىدلىنىش قەۋىتىنى ھاسىل قىلالمىسىمۇ ، ئەمما يېگانە رايون قىلىپ ئىشلىتىشكە يېتەرلىك ، قۇرۇق ئوكسىدلىنىشقا سېلىشتۇرغاندا ، ئۇنىڭ ئېشىش سۈرئىتى تېخىمۇ يۇقىرى.

ھۆل ئوكسىدلىنىش ئىقتىدارى: 50nm ~ 15µm (500A ~ 15µm)

3. قۇرۇتۇش ئۇسۇلى - ھۆل ئۇسۇل - قۇرۇق ئۇسۇل

بۇ خىل ئۇسۇلدا دەسلەپكى باسقۇچتا ساپ قۇرۇق ئوكسىگېن ئوكسىدلىنىش ئوچىقىغا قويۇپ بېرىلىدۇ ، ئوكسىدلىنىشنىڭ ئوتتۇرىسىغا ھىدروگېن قوشۇلىدۇ ، ھىدروگېن ئاخىرىدا ساقلىنىپ ، ساپ قۇرۇق ئوكسىگېن بىلەن ئوكسىدلىنىشنى داۋاملاشتۇرۇپ ، قويۇق ئوكسىدلىنىش قۇرۇلمىسى شەكىللىنىدۇ. سۇ ھور شەكلىدە كۆپ ئۇچرايدىغان ھۆل ئوكسىدلىنىش جەريانى.

4. TEOS ئوكسىدلىنىش