چۈشەندۈرۈش
شىركىتىمىز تەمىنلەيدۇSiC سىرگرافىك ، ساپال بۇيۇملار ۋە باشقا ماتېرىياللارنىڭ يۈزىدە CVD ئۇسۇلى ئارقىلىق بىر تەرەپ قىلىش مۇلازىمىتى ، شۇڭا كاربون ۋە كرېمنىي بولغان ئالاھىدە گازلار يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئىنكاس قايتۇرۇپ ، يۇقىرى ساپلىقتىكى SiC مولېكۇلاسى ، مولېكۇلاغا ئېرىشىدۇ.قاپلانغانماتېرىياللار ، SIC قوغداش قەۋىتىنى شەكىللەندۈرىدۇ.
SiC يۇيۇنۇش بېشىنىڭ ئالاھىدىلىكى تۆۋەندىكىچە:
1. چىرىشكە چىداملىق: SiC ماتېرىيالىنىڭ چىرىتىشكە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ناھايىتى ياخشى بولۇپ ، ھەر خىل خىمىيىلىك سۇيۇقلۇق ۋە ئېرىتمىلەرنىڭ ئېقىپ كېتىشىگە بەرداشلىق بېرەلەيدۇ ، ئۇ ھەر خىل خىمىيىلىك پىششىقلاپ ئىشلەش ۋە يەر يۈزىنى بىر تەرەپ قىلىش جەريانىغا ماس كېلىدۇ.
2. يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇقىملىقى:SiC نومۇرىيۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇھىتىدا قۇرۇلما مۇقىملىقىنى ساقلىيالايدۇ ھەمدە يۇقىرى تېمپېراتۇرىنى بىر تەرەپ قىلىشنى تەلەپ قىلىدىغان پروگراممىلارغا ماس كېلىدۇ.
3. بىر تۇتاش پۈركۈش:SiC nozzleلايىھىلەشنىڭ ياخشى پۈركۈشنى كونترول قىلىش ئىقتىدارى بار ، ئۇ بىردەك سۇيۇقلۇق تارقىتىشنى ئەمەلگە ئاشۇرالايدۇ ھەمدە داۋالاش سۇيۇقلۇقىنىڭ نىشان يۈزىگە تەكشى يېپىلىشىغا كاپالەتلىك قىلالايدۇ.
4. يۇقىرى ئۇپراشقا چىداملىق: SiC ماتېرىيالىنىڭ قاتتىقلىقى ۋە ئۇپراشقا چىدامچانلىقى يۇقىرى بولۇپ ، ئۇزۇن مۇددەت ئىشلىتىش ۋە سۈركىلىشكە بەرداشلىق بېرەلەيدۇ.
SiC يۇيۇنۇش بېشى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ياساش ، خىمىيىلىك پىششىقلاپ ئىشلەش ، يەر يۈزى سىرلاش ، ئېلېكترلەشتۈرۈش ۋە باشقا سانائەت ساھەلىرىدىكى سۇيۇقلۇق بىر تەرەپ قىلىش جەريانىدا كەڭ قوللىنىلىدۇ. ئۇ مۇقىم ، بىردەك ۋە ئىشەنچلىك پۈركۈش ئۈنۈمى بىلەن تەمىنلەپ ، پىششىقلاپ ئىشلەش ۋە داۋالاشنىڭ سۈپىتى ۋە ئىزچىللىقىغا كاپالەتلىك قىلالايدۇ.
Main Features
1. يۇقىرى تېمپېراتۇرىنىڭ ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش كۈچى:
تېمپېراتۇرا 1600 سېلسىيە گرادۇسقا يەتكەندە ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى يەنىلا ئىنتايىن ياخشى.
2. ساپلىقى يۇقىرى: يۇقىرى تېمپېراتۇرا خلورلىنىش شارائىتىدا خىمىيىلىك ھور چۆكۈش ئارقىلىق ياسالغان.
3. چىرىشكە چىدامچانلىقى: قاتتىقلىقى يۇقىرى ، ئىخچام يۈزى ، ئىنچىكە زەررىچىلەر.
4. چىرىشكە قارشى تۇرۇش: كىسلاتا ، ئىشقار ، تۇز ۋە ئورگانىك رېئاكتور.
CVD-SIC قاپلاشنىڭ ئاساسلىق ئۆلچىمى
| SiC-CVD خاسلىقى | ||
| خىرۇستال قۇرۇلما | FCC β باسقۇچى | |
| زىچلىقى | g / cm ³ | 3.21 |
| قاتتىقلىق | Vickers hardness | 2500 |
| ئاشلىق چوڭلۇقى | μm | 2 ~ 10 |
| خىمىيىلىك ساپلىق | % | 99.99995 |
| ئىسسىقلىق ئىقتىدارى | J · kg-1 · K-1 | 640 |
| Sublimation Temperature | ℃ | 2700 |
| ئەۋرىشىم كۈچ | MPa (RT 4-نومۇر) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt ئەگمە ، 1300 ℃) | 430 |
| ئىسسىقلىق كېڭەيتىش (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى | (W / mK) | 300 |
-
كرېمنىي كاربون كوتىن بىلەن گرافت سۈمۈرگۈچ ...
-
41 پارچە 4 دىيۇملۇق گرافت ئاساسى MOCVD ئۈسكۈنىسى ...
-
كىرىمنىينى ئاساس قىلغان GaN epitaxy
-
ئىلغار ماتېرىياللارنى كېسىش ، مىكرو رېئاكتىپ لازېر پروگراممىسى ...
-
Epitaxia دىكى تۆۋەنكى بەلۋاغنىڭ كېيىنكى يېرىم قىسمى ...
-
ALD ئاتوم قەۋىتىنىڭ چۆكۈپ كېتىش پىلانى پىلانى