چۈشەندۈرۈش
Semicorex نىڭ MOCVD (SiC Wafer Susceptors) (مېتال-ئورگانىك خىمىيىلىك ھور چۆكمىسى) ئېپىتاكىس چۆكۈش جەريانىدىكى تەلەپنى قاندۇرۇش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن. يۇقىرى سۈپەتلىك كرېمنىي كاربون (SiC) دىن پايدىلىنىپ ، بۇ سېزىمچان ماددىلار يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە چىرىتىش مۇھىتىدا تەڭداشسىز چىدامچانلىق ۋە ئىقتىدار بىلەن تەمىنلەيدۇ ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارنىڭ ئېنىق ۋە ئۈنۈملۈك ئۆسۈشىگە كاپالەتلىك قىلىدۇ.
ئاساسلىق ئالاھىدىلىكى:
1. ئەۋزەل ماتېرىيال خۇسۇسىيىتىيۇقىرى دەرىجىدىكى SiC دىن ياسالغان ، ۋافېر سېزىمچانلىقىمىز ئالاھىدە ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە خىمىيىلىك قارشىلىق كۈچىنى نامايان قىلىدۇ. بۇ خۇسۇسىيەتلەر ئۇلارنى يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە چىرىتكۈچى گاز قاتارلىق MOCVD جەريانلىرىنىڭ پەۋقۇلئاددە شارائىتىغا بەرداشلىق بېرەلەيدۇ ، ئۇزۇن ئۆمۈر كۆرۈش ۋە ئىشەنچلىك ئىقتىدارغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.
2. Epitaxial Deposition دىكى ئېنىقلىقبىزنىڭ SiC Wafer Susceptors نىڭ ئىنچىكە قۇرۇلۇشى دولقۇن يۈزىدە بىردەك تېمپېراتۇرىنىڭ تارقىلىشىغا كاپالەتلىك قىلىپ ، ئىزچىل ۋە يۇقىرى سۈپەتلىك تۇتقاقلىق قەۋىتىنىڭ ئۆسۈشىنى ئىلگىرى سۈرىدۇ. بۇ ئېنىقلىق ئەڭ ياخشى ئېلېكتر خۇسۇسىيىتىگە ئىگە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىشتا ئىنتايىن مۇھىم.
3. چىدامچانلىقى يۇقىرى كۆتۈرۈلدىكۈچلۈك بولغان SiC ماتېرىيالى ھەتتا ناچار جەريان مۇھىتىغا ئۇدا تەسىر قىلغان تەقدىردىمۇ ، ئۇپراش ۋە چېكىنىشكە ناھايىتى ياخشى قارشىلىق بىلەن تەمىنلەيدۇ. بۇ چىداملىق سەزگۈرلۈكنى ئالماشتۇرۇش قېتىم سانىنى تۆۋەنلىتىدۇ ، چۈشۈش ۋاقتى ۋە مەشغۇلات تەننەرخىنى تۆۋەنلىتىدۇ.
قوللىنىشچان پروگراممىلار ：
Semicorex نىڭ MOCVD ئۈچۈن SiC Wafer Susceptors ئەڭ ماس كېلىدۇ:
يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارنىڭ ئېپىتاكسىيىلىك ئۆسۈشى
• يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق MOCVD جەريانلىرى
• GaN ، AlN ۋە باشقا بىرىكمە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش
• ئىلغار يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ياساش قوللىنىشچان پروگراممىلىرى
CVD-SIC چاپلاشنىڭ ئاساسلىق ئۆلچىمى:
پايدىسى:
•يۇقىرى ئېنىقلىق: بىردەك ۋە يۇقىرى سۈپەتلىك تۇتقاقلىق ئۆسۈشىگە كاپالەتلىك قىلىدۇ.
•ئۇزۇن مۇددەتلىك ئىقتىدار: ئالاھىدە چىداملىق ئالماشتۇرۇش چاستوتىنى تۆۋەنلىتىدۇ.
• تەننەرخ ئۈنۈمى: چۈشۈش ۋاقتى ۋە ئاسراش ئارقىلىق مەشغۇلات تەننەرخىنى تۆۋەنلىتىدۇ.
•كۆپ خىللىقى: ھەرخىل MOCVD جەريان تەلىپىگە ماسلىشالايدۇ.
