چۈشەندۈرۈش
يېرىم ئۆتكۈزگۈچ SiC يېرىم شاردىن يەككە كرىستاللىق كرېمنىيلىق ئېپتاكسىيىلىك دىسكىنى سىرلىدى ، بۇ ئىلغار ئېپىتاكسىيىلىك ئۆسۈش جەريانى ئۈچۈن لايىھەلەنگەن ئالدىنقى قاتاردىكى ھەل قىلىش چارىسى. Semicera ئالاھىدە يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە چىدامچانلىقى بىلەن تەمىنلەيدىغان يۇقىرى ئىقتىدارلىق دىسكىلارنى ئىشلەپچىقىرىش بىلەن شۇغۇللىنىدۇSi EpitaxyۋەSiC Epitaxy. كرېمنىي كاربون (SiC) بىلەن سىرلانغان بۇ تۇتقاقلىق دىسكا يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش جەريانىنىڭ ئۈنۈمى ۋە ئېنىقلىقىنى ئۆستۈرىدۇ.
بىزنىڭMOCVD Susceptorماس كېلىدىغان epitaxial دىسكا PSS Etching توشۇغۇچىغا ئېھتىياجلىق سىستېمىلارنى ئۆز ئىچىگە ئالغان ھەر خىل تەڭشەشلەردە ئىزچىل ئۈنۈمگە كاپالەتلىك قىلىدۇ.ICP Etchingتوشۇغۇچى ۋە RTP توشۇغۇچى. بۇ دىسكا Monocrystalline كىرىمنىي ئىشلەپچىقىرىشنىڭ يۇقىرى تەلىپىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن بولۇپ ، LED Epitaxial Susceptor قوللىنىشچان پروگراممىسى ۋە باشقا يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ ئۆسۈپ يېتىلىش جەريانىغا ماس كېلىدۇ. Barrel Susceptor ۋە Pancake Susceptor لايىھىلىگۈچىلەر ئىشلەپچىقارغۇچىلارغا كۆپ خىل ئىقتىدار بىلەن تەمىنلەيدۇ ، Photovoltaic زاپچاسلىرىنى ئىشلىتىش قۇياش سانائىتىگە قوللىنىلىدۇ.
پۇختا قۇرۇلۇشى بىلەن ، بۇ دىسكىنىڭ SiC Epitaxy ئىقتىدارىدىكى GaN ئىلغار تۇتقاقلىق سىستېمىسىنىڭ قىممىتىنى تېخىمۇ ئۆستۈرىدۇ. بۇ ھەل قىلىش چارىسى ئىشەنچلىك ، يۇقىرى سۈپەتلىك نەتىجىلەر بىلەن تەمىنلەش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن بولۇپ ، زامانىۋى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋە يورۇقلۇق ۋولت ياساشنىڭ مۇھىم تەركىبىي قىسمى.
Main Features
1. يۇقىرى ساپلىق SiC قاپلانغان گرافت
2. يۇقىرى ئىسسىققا چىداملىق ۋە ئىسسىقلىق بىردەكلىكى
3. ياخشىSiC خرۇستال سىرلانغانتەكشى يۈزى ئۈچۈن
4. خىمىيىلىك تازىلاشقا قارشى تۇرۇشچانلىقى يۇقىرى
CVD-SIC چاپلاشنىڭ ئاساسلىق ئۆلچىمى:
| SiC-CVD | ||
| زىچلىقى | (g / cc) | 3.21 |
| ئەۋرىشىم كۈچ | (Mpa) | 470 |
| ئىسسىقلىق كېڭىيىش | (10-6 / K) | 4 |
| ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى | (W / mK) | 300 |
ئوراش ۋە توشۇش
تەمىنلەش ئىقتىدارى:
ھەر ئايدا 10000 پارچە / پارچە
ئوراپ قاچىلاش ۋە يەتكۈزۈش:
ئوراش: ئۆلچەملىك ۋە كۈچلۈك ئوراش
پولى سومكا + قۇتا + كارتون + پالېت
پورت:
نىڭبو / شېنجېن / شاڭخەي
رەھبەرلىك ۋاقتى:
| سانى (پارچە) | 1-1000 | > 1000 |
| Est. ۋاقىت (كۈن) | 30 | سۆھبەتلىشىش |
