بالا ھەمراھى بىلەن تۇتقاقلىق كېسىلىنىڭ قانداق پەرقى بار؟

ۋافېر تەييارلاش جەريانىدا ، ئىككى يادرولۇق ئۇلىنىش بار: بىرى بالا ھەمراھىنى تەييارلاش ، يەنە بىرى تۇتقاقلىق جەريانىنى يولغا قويۇش. يېرىم ئۆتكۈزگۈچ يەككە خرۇستال ماتېرىيالدىن ئەستايىدىللىق بىلەن ياسالغان تارماق بالا ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرنى ئىشلەپچىقىرىشنىڭ ئاساسى سۈپىتىدە بىۋاسىتە ۋافېر ئىشلەپچىقىرىش جەريانىغا قويۇلسا ياكى تۇتقاقلىق جەريانى ئارقىلىق تېخىمۇ كۈچەيتكىلى بولىدۇ.

ئۇنداقتا ، ئېنىقلىما دېگەن نېمە؟ قىسقىسى ، تۇتقاقلىق ئىنچىكە پىششىقلاپ ئىشلەنگەن (كېسىش ، ئۇۋىلاش ، سىلىقلاش قاتارلىقلار) يەككە خرۇستال يەر ئاستى قەۋىتىدىكى يېڭى بىر قەۋەت كىرىستالنىڭ ئۆسۈشى. بۇ يېڭى يەككە خرۇستال قەۋەت ۋە ئاستى قەۋەت ئوخشاش ماتېرىيال ياكى ئوخشىمىغان ماتېرىياللاردىن ياسالغان بولىدۇ ، شۇڭا ئېھتىياجغا ئاساسەن ئوخشاش جىنىسلىق ياكى گېروپوپتاكسىمان ئۆسۈشنى ئەمەلگە ئاشۇرغىلى بولىدۇ. يېڭىدىن يېتىلگەن يەككە خرۇستال قەۋەت ئاستى قەۋەتنىڭ خرۇستال باسقۇچىغا ئاساسەن كېڭىيىدۇ ، ئۇ تۇتقاقلىق قەۋىتى دەپ ئاتىلىدۇ. ئۇنىڭ قېلىنلىقى ئادەتتە پەقەت بىر نەچچە مىكرون. كرېمنىينى مىسالغا ئالساق ، كرېمنىينىڭ ئېپىتاكسىيىلىك ئۆسۈشى كىرىستال يۆنىلىشنى بويلاپ ، كىرىستال يۆنىلىشنى كونترول قىلىدىغان قارشىلىق ۋە قېلىنلىق بىلەن ئوخشاش كىرىستال يۆنىلىشنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. مۇكەممەل رېشاتكا قۇرۇلمىسىغا ئىگە كرېمنىي يەككە خرۇستال قەۋەت. يەر ئاستى قەۋىتىدە تۇتقاقلىق قەۋىتى ئۆسكەندە ، ھەممىسى تۇتقاقلىق ۋافېر دەپ ئاتىلىدۇ.

ئەنئەنىۋى كرېمنىي يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپىگە نىسبەتەن ، كرېمنىيلىق ۋافېردا يۇقىرى چاستوتىلىق ۋە يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئۈسكۈنىلەرنى ئىشلەپچىقىرىش بىر قىسىم تېخنىكىلىق قىيىنچىلىقلارغا دۇچ كېلىدۇ. مەسىلەن ، يىغىش رايونىدىكى يۇقىرى پارچىلىنىش بېسىمى ، كىچىك يۈرۈشلۈك قارشىلىق ۋە كىچىك تويۇنۇش بېسىمىنىڭ تۆۋەنلىشىگە بولغان تەلەپنى ئەمەلگە ئاشۇرۇش تەس. تارقىلىشچان تېخنىكىنىڭ ئوتتۇرىغا چىقىشى بۇ مەسىلىلەرنى ئەپچىللىك بىلەن ھەل قىلىدۇ. ھەل قىلىش چارىسى تۆۋەن قارشىلىقچان كرېمنىينىڭ ئاستىغا قارشى تۇرۇشچانلىقى يۇقىرى بولغان ئېپتاكسىيىلىك قەۋەتنى ئۆستۈرۈپ ، ئاندىن يۇقىرى قارشىلىق ئېپىكسىيىلىك قەۋىتىدىكى ئۈسكۈنىلەرنى توقۇش. بۇنداق بولغاندا ، يۇقىرى چىداملىق ئېپىتاكسىيىلىك قەۋەت ئۈسكۈنىنى يۇقىرى پارچىلىنىش بېسىمى بىلەن تەمىنلەيدۇ ، تۆۋەن قارشىلىقلىق تارماق بالا بولسا ئاستىرتتىن قارشىلىقنىڭ تۆۋەنلىشىنى تۆۋەنلىتىدۇ ، بۇ ئارقىلىق تويۇنۇش بېسىمىنىڭ تۆۋەنلىشىنى تۆۋەنلىتىدۇ ، بۇ ئارقىلىق يۇقىرى بۇزۇلۇش بېسىمى ۋە قارشىلىق ئوتتۇرىسىدىكى كىچىك تەڭپۇڭلۇقنى ئەمەلگە ئاشۇرىدۇ. كىچىك توك بېسىمى تۆۋەنلەش.

ئۇنىڭدىن باشقا ، گاۋنىڭ ھور فازىلىقى ۋە سۇيۇقلۇق فازا ئېپىتاكسىيىسى ۋە باشقا III-V ، II-VI ۋە باشقا مولېكۇلا بىرىكمە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى قاتارلىق تۇتقاقلىق تېخنىكىسىمۇ زور دەرىجىدە تەرەققىي قىلىپ ، كۆپىنچە مىكرو دولقۇنلۇق ئۈسكۈنىلەر ، ئوپتىكىلىق ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ۋە قۇۋۋەتنىڭ ئاساسى بولۇپ قالدى. ئۈسكۈنىلەر. ئىشلەپچىقىرىشتا كەم بولسا بولمايدىغان جەريان تېخنىكىسى ، بولۇپمۇ مولېكۇلا نۇر ۋە مېتال ئورگانىك ھور فازا ئېپىتاكىس تېخنىكىسىنىڭ نېپىز قەۋەت ، دەرىجىدىن تاشقىرى رېشاتكا ، كىۋانت قۇدۇقى ، سۈزۈلگەن دەرىجىدىن تاشقىرى ئېلېكتر ئېنېرگىيىسى ۋە ئاتوم سەۋىيىسىدىكى نېپىز قەۋەتلىك تۇتقاقلىقتا مۇۋەپپەقىيەتلىك قوللىنىلىشى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تەتقىقاتىنىڭ يېڭى ساھەسىگە ئايلاندى. «ئېنېرگىيە بەلۋاغ تۈرى» نىڭ تەرەققىياتى پۇختا ئاساس سالدى.

ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىگە كەلسەك ، بۇ خىل يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرنىڭ ھەممىسى دېگۈدەك ئېپىتاكسىيىلىك قەۋەتتە ياسالغان بولۇپ ، كرېمنىي كاربون ۋافېرنىڭ ئۆزى پەقەت تارماق بالا رولىنى ئوينايدۇ. SiC epitaxial ماتېرىيالىنىڭ قېلىنلىقى ، تەگلىك توشۇغۇچىنىڭ قويۇقلۇقى ۋە باشقا پارامېتىرلىرى SiC ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ھەر خىل ئېلېكتر خۇسۇسىيىتىنى بىۋاسىتە بەلگىلەيدۇ. يۇقىرى بېسىملىق قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ كرېمنىي كاربون ئۈسكۈنىلىرى ئېپىتاكىس ماتېرىياللىرىنىڭ قېلىنلىقى ۋە تەگلىك توشۇغۇچىنىڭ قويۇقلۇقى قاتارلىق پارامېتىرلارغا يېڭى تەلەپلەرنى ئوتتۇرىغا قويدى. شۇڭلاشقا ، كرېمنىي كاربون ئېپىتاكىس تېخنىكىسى كرېمنىي كاربون ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئىقتىدارىدىن تولۇق پايدىلىنىشتا ھەل قىلغۇچ رول ئوينايدۇ. بارلىق SiC قۇۋۋەت ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ھەممىسى دېگۈدەك يۇقىرى سۈپەتلىك SiC ئېپتاكسىمان ۋافېرنى ئاساس قىلغان. Epitaxial قەۋىتىنى ئىشلەپچىقىرىش كەڭ بەلۋاغ يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپىنىڭ مۇھىم تەركىبىي قىسمى.