ۋافېر توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ، دىسكا يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىسى ۋە ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئىشلەپچىقىرىشتىكى ئاساسلىق خام ئەشيا. % 90 تىن ئارتۇق توپلاشتۇرۇلغان توك يولى يۇقىرى ساپلىق ، يۇقىرى سۈپەتلىك ۋافېردا ياسالغان.
ۋافېر تەييارلاش ئۈسكۈنىلىرى ساپ پولى كرىستاللىق كرېمنىي ماتېرىياللىرىنى مەلۇم دىئامېتىرى ۋە ئۇزۇنلۇقىدىكى كرېمنىي يەككە خرۇستال تاياقچە ماتېرىيالغا ئايلاندۇرۇش ، ئاندىن كرېمنىي يەككە خرۇستال تاياق ماتېرىياللىرىنى بىر يۈرۈش مېخانىكىلىق پىششىقلاپ ئىشلەش ، خىمىيىلىك داۋالاش ۋە باشقا جەريانلارغا بويسۇندۇرۇش جەريانىنى كۆرسىتىدۇ.
كرېمنىيلىق ۋافېر ياكى ئېپىتاكسىيىلىك كرېمنىيلىق ۋافېر ئىشلەپچىقىرىدىغان ئۈسكۈنىلەر ، گېئومېتىرىيەلىك توغرىلىق ۋە يەر يۈزىنىڭ سۈپەت تەلىپىگە ماس كېلىدىغان ۋە ئۆزەك ياساش ئۈچۈن كېرەكلىك كرېمنىي مېيى تەمىنلەيدۇ.
دىئامېتىرى 200 مىللىمېتىردىن تۆۋەن بولغان كرېمنىيلىق ۋافېر تەييارلاشنىڭ تىپىك جەريان ئېقىمى:
يەككە خرۇستال ئۆسۈش → كېسىش → سىرتقى دىئامېتىرى دومىلاش → كېسىش → چامغۇرلاش → ئۇۋىلاش → قىچىشىش → ئېرىشىش
دىئامېتىرى 300 مىللىمېتىر كېلىدىغان كرېمنىيلىق ۋافېر تەييارلاشنىڭ ئاساسلىق جەريانى تۆۋەندىكىچە:
يەككە خرۇستال ئۆسۈش → كېسىش → سىرتقى دىئامېتىرى دومىلاش → كېسىش → چاقماق → يۈزنى ئۇۋىلاش → ئېشش
1. سىلىتسىي ماتېرىيالى
كرېمنىي يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال ، چۈنكى ئۇنىڭدا 4 ۋالېنس ئېلېكترون بار ھەمدە باشقا ئېلېمېنتلار بىلەن بىللە قەرەللىك جەدۋەلنىڭ IVA گۇرۇپپىسىدا.
كرېمنىيدىكى ۋالېنس ئېلېكترونلىرىنىڭ سانى ئۇنى ياخشى ئۆتكۈزگۈچ (1 ۋالېنس ئېلېكترون) بىلەن ئىزولياتور (8 ۋالېنس ئېلېكترون) نىڭ ئوتتۇرىسىغا قويىدۇ.
ساپ كرېمنىي تەبىئەتتە تېپىلمايدۇ ، ئۇنى چىقىرىش ۋە ساپلاشتۇرۇپ ياساشقا يېتەرلىك ساپلاشتۇرۇش كېرەك. ئۇ ئادەتتە سىلىتسىي (كرېمنىي ئوكسىد ياكى SiO2) ۋە باشقا سىلىتسىيلاردا ئۇچرايدۇ.
SiO2 نىڭ باشقا شەكىللىرى ئەينەك ، رەڭسىز كىرىستال ، كۋارتس ، ئاگات ۋە مۈشۈكنىڭ كۆزى قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.
يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سۈپىتىدە ئىشلىتىلگەن تۇنجى ماتېرىيال 1940-يىللار ۋە 1950-يىللارنىڭ بېشىدا گېرمان ئىدى ، ئەمما ئۇ ناھايىتى تېزلا كرېمنىينىڭ ئورنىنى ئالدى.
كىرىمنىي تۆت ئاساسلىق سەۋەب بىلەن ئاساسلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيالى قىلىپ تاللانغان:
كىرىمنىي ماتېرىياللىرىنىڭ موللىقى: كرېمنىي يەرشارىدىكى ئىككىنچى مول ئېلېمېنت بولۇپ ، يەر پوستىنىڭ% 25 نى ئىگىلەيدۇ.
كرېمنىي ماتېرىيالىنىڭ يۇقىرى ئېرىتىش نۇقتىسى تېخىمۇ كەڭ جەريانغا بەرداشلىق بېرەلەيدۇ: 1412 سېلسىيە گرادۇسلۇق كرېمنىينىڭ ئېرىش نۇقتىسى 937 سېلسىيە گرادۇسلۇق گېرماننىڭ ئېرىش نۇقتىسىدىن كۆپ يۇقىرى. تېخىمۇ يۇقىرى ئېرىتىش نۇقتىسى كرېمنىينىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرا جەريانىغا بەرداشلىق بېرەلەيدۇ.
كرېمنىي ماتېرىياللىرىنىڭ مەشغۇلات تېمپېراتۇرىسى تېخىمۇ كەڭ;
كرېمنىي ئوكسىدنىڭ تەبىئىي ئۆسۈشى (SiO2): SiO2 يۇقىرى سۈپەتلىك ، تۇراقلىق ئېلېكتر ئىزولياتورلۇق ماتېرىيال بولۇپ ، كرېمنىينىڭ سىرتقى بۇلغىنىشىدىن ساقلىنىش ئۈچۈن ئېسىل خىمىيىلىك توساق رولىنى ئوينايدۇ. ئېلېكتر مۇقىملىقى توپلاشتۇرۇلغان توك يولىدىكى قوشنا ئۆتكۈزگۈچلەر ئارىسىدا ئېقىپ كېتىشنىڭ ئالدىنى ئېلىشتا ئىنتايىن مۇھىم. SiO2 ماتېرىيالىنىڭ تۇراقلىق نېپىز قەۋىتىنى يېتىشتۈرۈش ئىقتىدارى يۇقىرى ئىقتىدارلىق مېتال ئوكسىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ (MOS-FET) ئۈسكۈنىلىرىنى ياساشنىڭ ئاساسى. SiO2 كرېمنىيغا ئوخشاش مېخانىكىلىق خۇسۇسىيەتكە ئىگە بولۇپ ، كرېمنىيلىق ۋافېرنى بەك كۆپ ئۇرماي تۇرۇپ يۇقىرى تېمپېراتۇرىنى بىر تەرەپ قىلالايدۇ.
2. تېخىمۇ ياخشى تەييارلىق
يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋافېر كۆپ مىقداردىكى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرىدىن كېسىلىدۇ. بۇ يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال خرۇستال تاياقچە دەپ ئاتىلىدۇ ، ئۇ كۆپ مىقداردا پولى كرىستاللىن ۋە ئېچىلمىغان ئىچكى ماتېرىيالدىن ئۆستۈرۈلىدۇ.
پولى كرىستال توسۇقنى چوڭ يەككە خرۇستالغا ئايلاندۇرۇپ ، ئۇنىڭغا توغرا خرۇستال يۆنىلىش ۋە مۇۋاپىق مىقداردىكى N تىپلىق ياكى P تىپلىق دوپپا بېرىش خرۇستال ئۆسۈش دەپ ئاتىلىدۇ.
كرېمنىيلىق ۋافېر تەييارلاشتا يەككە خرۇستال كرېمنىيدىن ياسالغان ئەڭ كۆپ قوللىنىلىدىغان تېخنىكىلار Czochralski ئۇسۇلى ۋە رايون ئېرىتىش ئۇسۇلى.
2.1 Czochralski ئۇسۇلى ۋە Czochralski يەككە خرۇستال ئوچاق
Czochralski (CZ) ئۇسۇلى يەنە Czochralski (CZ) ئۇسۇلى دەپمۇ ئاتىلىدۇ ، ئېرىتىلگەن يېرىم ئۆتكۈزگۈچ دەرىجىلىك كرېمنىي سۇيۇقلۇقىنى توغرا خرۇستال يۆنىلىشكە ئىگە قاتتىق كرىستال كرېمنىي تەركىبلىرىگە ئايلاندۇرۇش ۋە N تىپلىق ياكى P- غا كۆپەيتىش جەريانىنى كۆرسىتىدۇ. تىپى.
ھازىر ، 85% تىن ئارتۇق يەككە كىرىستال كرېمنىي Czochralski ئۇسۇلى ئارقىلىق ئۆستۈرۈلگەن.
Czochralski يەككە خرۇستال ئوچاق يۇقىرى سۈزۈك پولىسىيون ماتېرىياللىرىنى يېپىق يۇقىرى ۋاكۇئۇم ياكى كەم ئۇچرايدىغان گاز (ياكى ئىنېرت گازى) قوغداش مۇھىتىدا قىزىتىش ئارقىلىق سۇيۇقلۇققا ئېرىتىپ ، ئاندىن قايتا تەشكىللەپ ، مەلۇم سىرتقى كىرىستال كرېمنىي ماتېرىياللىرىنى ھاسىل قىلىدۇ. ئۆلچىمى.
يەككە خرۇستال ئوچاقنىڭ خىزمەت پرىنسىپى پولى كرىستاللىق كرېمنىي ماتېرىيالىنىڭ سۇيۇق ھالەتتە يەككە كىرىستال كرېمنىي ماتېرىيالىغا قايتا تەشكىللىنىشىنىڭ فىزىكىلىق جەريانى.
CZ يەككە خرۇستال ئوچاقنى ئوچاق گەۋدىسى ، مېخانىكىلىق يەتكۈزۈش سىستېمىسى ، ئىسسىنىش ۋە تېمپېراتۇرىنى كونترول قىلىش سىستېمىسى ۋە گاز يەتكۈزۈش سىستېمىسىدىن ئىبارەت تۆت قىسىمغا بۆلۈشكە بولىدۇ.
ئوچاق گەۋدىسى ئوچاق بوشلۇقى ، ئۇرۇق كىرىستال ئوق ، كۋارت كرېست ، دوپپا قوشۇق ، ئۇرۇق كىرىستال ياپقۇچ ۋە كۆزىتىش كۆزنىكىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.
ئوچاق بوشلۇقى ئوچاقتىكى تېمپېراتۇرىنىڭ تەكشى تەقسىملىنىشىگە كاپالەتلىك قىلىپ ، ئىسسىقلىقنى ياخشى تارقىتالايدۇ. ئۇرۇق كىرىستال شاپتۇل ئۇرۇق كىرىستالنى يۇقىرى ۋە تۆۋەنگە يۆتكەشكە ئىشلىتىلىدۇ. كۆپەيتىشكە تېگىشلىك بولغان بۇلغانمىلار دوپپا قوشۇققا سېلىنىدۇ
ئۇرۇق كىرىستال قاپلاش ئۇرۇق كىرىستالنىڭ بۇلغىنىشىدىن ساقلىنىش. مېخانىكىلىق يەتكۈزۈش سىستېمىسى ئاساسلىقى ئۇرۇق كىرىستال ۋە كرېستنىڭ ھەرىكىتىنى كونترول قىلىشقا ئىشلىتىلىدۇ.
كرېمنىي ئېرىتمىسىنىڭ ئوكسىدلانماسلىقىغا كاپالەتلىك قىلىش ئۈچۈن ، ئوچاقتىكى ۋاكۇئۇم دەرىجىسى ئىنتايىن يۇقىرى بولۇشى تەلەپ قىلىنىدۇ ، ئادەتتە 5 توردىن تۆۋەن بولىدۇ ، قوشۇلغان ئىنېرت گازىنىڭ ساپلىقى% 99.9999 دىن يۇقىرى بولۇشى كېرەك.
كۆزلىگەن خىرۇستال يۆنىلىشلىك يەككە خرۇستال كرېمنىيدىن بىر پارچە ئۇرۇق كىرىستال سۈپىتىدە كرېمنىينىڭ ئۆسۈشىنى ئۆستۈرىدۇ ، ئۆسكەن كرېمنىينىڭ ئۇرۇقى ئۇرۇق كىرىستالنىڭ كۆپەيتىلگەن نۇسخىسىغا ئوخشايدۇ.
ئېرىتىلگەن كرېمنىي بىلەن يەككە خرۇستال كرېمنىي ئۇرۇقى كىرىستال ئارىلىقىدىكى شارائىتنى ئېنىق كونترول قىلىش كېرەك. بۇ ئەھۋاللار كرېمنىينىڭ نېپىز قەۋىتىنىڭ ئۇرۇق كىرىستالنىڭ تۈزۈلۈشىنى توغرا تەقلىد قىلىپ ، ئاخىرىدا چوڭ يەككە خرۇستال كرېمنىيغا ئايلىنىشىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.
2.2 رايون ئېرىتىش ئۇسۇلى ۋە رايون ئېرىتىش يەككە خرۇستال ئوچاق
لەيلىمە رايون ئۇسۇلى (FZ) ئوكسىگېن مىقدارى ئىنتايىن تۆۋەن بولغان خىرۇستال كرېمنىيدىن ياسالغان. لەيلىمە رايون ئۇسۇلى 1950-يىللاردا بارلىققا كەلگەن بولۇپ ، بۈگۈنگە قەدەر ئەڭ ساپ يەككە كىرىستال كرېمنىي ئىشلەپچىقىرالايدۇ.
رايون ئېرىتىش يەككە خرۇستال ئوچاقنى كۆرسىتىدۇ. قوغداش مۇھىتى.
پولى كرىستال تاياق ياكى ئوچاق ئىسسىتىش گەۋدىسىنى ھەرىكەتلەندۈرىدىغان جەريان ئۈسكۈنىسى ئېرىتىش رايونىنى ھەرىكەتلەندۈرىدۇ ۋە ئۇنى ئاستا-ئاستا كىرىستاللاشتۇرىدۇ.
رايون ئېرىتىش ئۇسۇلى ئارقىلىق يەككە خرۇستال تاياقچە تەييارلاشنىڭ ئالاھىدىلىكى شۇكى ، كرىستاللاش جەريانىدا يەككە كرىستال تاياققا ئايلىنىش جەريانىدا پولى كرىستال تاياقنىڭ ساپلىقىنى يۇقىرى كۆتۈرگىلى بولىدۇ ، ھەمدە تاياق ماتېرىياللىرىنىڭ دوپپىنىڭ ئۆسۈشى تېخىمۇ تەكشى بولىدۇ.
رايون ئېرىتىش يەككە خرۇستال ئوچاقنى ئىككى خىلغا بۆلۈشكە بولىدۇ: لەيلىمە رايون ئېرىتىش يەككە خرۇستال ئوچاق ، يەر يۈزى جىددىيلىكى ۋە گورىزونتال رايون ئېرىتىش يەككە خرۇستال ئوچاققا تايىنىدۇ. ئەمەلىي قوللىنىشتا ، رايون ئېرىتىش يەككە خرۇستال ئوچاق ئادەتتە لەيلىمە رايون ئېرىتىشنى قوللىنىدۇ.
بۇ رايون ئېرىگەن يەككە خرۇستال ئوچاق يۇقىرى ساپلىقتىكى تۆۋەن ئوكسىگېنلىق يەككە كىرىستال كرېمنىينى تەييارلىيالايدۇ. ئۇ ئاساسلىقى يۇقىرى چىداملىق (> 20kΩ · cm) يەككە كىرىستال كرېمنىي تەييارلاش ۋە رايون ئېرىتىش كرېمنىينى ساپلاشتۇرۇش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ. بۇ مەھسۇلاتلار ئاساسلىقى دىسكا ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىنى ياساشتا ئىشلىتىلىدۇ.
بۇ رايون ئېرىگەن يەككە خرۇستال ئوچاق ئوچاق ئۆيى ، ئۈستۈنكى ئوق ۋە تۆۋەنكى ئوق (مېخانىكىلىق يەتكۈزۈش قىسمى) ، خرۇستال تاياقچە چاك ، ئۇرۇق كىرىستال چاك ، ئىسسىنىش كاتەكچىسى (يۇقىرى چاستوتىلىق گېنېراتور) ، گاز پورتى (ۋاكۇئۇم ئېغىزى ، گاز كىرىش ئېغىزى ، ئۈستۈنكى گاز چىقىرىش ئورنى) قاتارلىقلار.
ئوچاق كامېر قۇرۇلمىسىدا سوۋۇتۇش سۇنىڭ ئايلىنىشى ئورۇنلاشتۇرۇلغان. يەككە خرۇستال ئوچاقنىڭ ئۈستۈنكى ئوقنىڭ تۆۋەنكى ئۇچى خرۇستال تاياقچە بولۇپ ، ئۇ كۆپ قۇتۇپلۇق تاياقنى قىسىشقا ئىشلىتىلىدۇ. ئاستىنقى ئوقنىڭ ئۈستۈنكى ئۇچى ئۇرۇق كىرىستال چاك بولۇپ ، ئۇرۇق كىرىستالنى قىسىشقا ئىشلىتىلىدۇ.
ئىسسىنىش كاتەكچىسىگە يۇقىرى چاستوتىلىق توك بىلەن تەمىنلىنىدۇ ، تۆۋەنكى ئۇچىدىن باشلاپ پولى كرىستال تاياقتا تار ئېرىتىش رايونى شەكىللىنىدۇ. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، ئۈستۈنكى ۋە تۆۋەن ئوقلار ئايلىنىدۇ ۋە تۆۋەنلەيدۇ ، شۇڭا ئېرىتىش رايونى كىرىستاللاشتۇرۇلۇپ يەككە كىرىستالغا ئايلىنىدۇ.
بۇ رايوننىڭ ئېرىگەن يەككە خرۇستال ئوچاقنىڭ ئەۋزەللىكى شۇكى ، ئۇ تەييارلانغان يەككە خرۇستالنىڭ ساپلىقىنى ئۆستۈرۈپلا قالماي ، تاياق دوپپىسىنىڭ ئۆسۈشىنى تېخىمۇ بىرلىككە كەلتۈرۈپ ، يەككە كرىستال تاياقنى كۆپ جەريانلار ئارقىلىق ساپلاشتۇرغىلى بولىدۇ.
بۇ رايوننىڭ ئېرىگەن يەككە خرۇستال ئوچاقنىڭ كەمچىلىكى يۇقىرى جەريان تەننەرخى ۋە تەييار يەككە خرۇستالنىڭ دىئامېتىرى كىچىك. ھازىر ، تەييارلىغىلى بولىدىغان يەككە خرۇستالنىڭ ئەڭ چوڭ دىئامېتىرى 200 مىللىمېتىر.
بۇ رايوننىڭ ئېرىگەن يەككە خرۇستال ئوچاق ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئومۇمىي ئېگىزلىكى بىر قەدەر يۇقىرى ، ئۈستۈنكى ۋە تۆۋەن ئوقنىڭ سوقۇلۇشى بىر قەدەر ئۇزۇن ، شۇڭا ئۇزۇن كرىستال تاياقنى ئۆستۈرگىلى بولىدۇ.
3. Wafer پىششىقلاپ ئىشلەش ۋە ئۈسكۈنىلەر
خىرۇستال تاياق بىر يۈرۈش جەريانلارنى باشتىن كەچۈرۈپ ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىشنىڭ تەلىپىگە ماس كېلىدىغان كرېمنىيلىق تارماق ئېلېمېنتنى شەكىللەندۈرۈشى كېرەك. پىششىقلاپ ئىشلەشنىڭ ئاساسلىق جەريانى:
يىمىرىلىش ، كېسىش ، توغراش ، ۋافېر ئۇلاش ، چاقماق ، ئۇۋىلاش ، سىلىقلاش ، تازىلاش ۋە ئوراش قاتارلىقلار.
3.1 Wafer Annealing
پولى كرىستاللىق كرېمنىي ۋە Czochralski كرېمنىينى ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدا ، يەككە خرۇستال كرېمنىيدا ئوكسىگېن بار. مەلۇم تېمپېراتۇرىدا يەككە كىرىستال كرېمنىيدىكى ئوكسىگېن ئېلېكترون ئىئانە قىلىدۇ ، ئوكسىگېن ئوكسىگېن تەقدىم قىلغۇچىغا ئايلىنىدۇ. بۇ ئېلېكترونلار كرېمنىي ۋافېردىكى بۇلغانمىلار بىلەن بىرىكىپ ، كرېمنىي ۋافېرنىڭ قارشىلىقىغا تەسىر كۆرسىتىدۇ.
ياندۇرۇش ئوچىقى: ھىدروگېن ياكى ئارگون مۇھىتىدا ئوچاقنىڭ تېمپېراتۇرىسىنى 1000-1200 سېلسىيە گرادۇسقىچە ئۆرلىتىدىغان ئوچاقنى كۆرسىتىدۇ. ئىللىق ۋە سوۋۇتۇش ئارقىلىق ، سىلىقلانغان كرېمنىي ۋافېرنىڭ يۈزىگە يېقىن ئوكسىگېن تۇراقسىزلىنىپ ، يۈزىدىن چىقىرىۋېتىلىپ ، ئوكسىگېننىڭ چۆكۈپ ، قەۋەتلىشىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.
كرېمنىيلىق ۋافېر يۈزىدىكى مىكرو كەمتۈكلۈكلەرنى ئېرىتەلەيدىغان ، كرېمنىيلىق ۋافېر يۈزىدىكى بۇلغانمىلارنىڭ مىقدارىنى ئازايتىدىغان ، كەمتۈكلۈكنى ئازايتىدىغان ۋە كرېمنىيلىق ۋافېر يۈزىدە بىر قەدەر پاكىز رايون شەكىللەندۈرىدىغان بىر تەرەپ قىلىش ئۈسكۈنىلىرى.
ئۇلاش ئوچىقى يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئوچاق دەپمۇ ئاتىلىدۇ. بۇ ساھە يەنە كرېمنىيلىق ۋافېرنى تۇتاشتۇرۇش جەريانىنى جانلاندۇرۇش دەپ ئاتايدۇ.
كرېمنىيلىق ۋافېرلىق ئوچاق:
- گورىزونتال ياندۇرۇش ئوچىقى
- تىك يانتۇ ئوچاق
-ئاپپارات ئوچاق ئوچاق.
گورىزونتال ئۇلاش ئوچىقى بىلەن تىك ياندۇرۇش ئوچىقىنىڭ ئاساسلىق پەرقى رېئاكسىيە ئۆيىنىڭ ئورۇنلاشتۇرۇش يۆنىلىشى.
گورىزونتال ئۇلاش ئوچاقنىڭ رېئاكسىيە ئۆيى گورىزونتال قۇرۇلمىلىق بولۇپ ، بىر تۈركۈم كرېمنىيلىق ۋافېرنى ئوچاق ئوچاقنىڭ رېئاكسىيە ئۆيىگە بىرلا ۋاقىتتا قاچىلاشقا بولىدۇ. ئۇلاش ۋاقتى ئادەتتە 20 مىنۇتتىن 30 مىنۇتقىچە بولىدۇ ، ئەمما رېئاكسىيە ئۆيى ئۇزۇن ۋاقىت ئىسسىنىش ۋاقتىغا ئېھتىياجلىق بولىدۇ.
ۋېرتىكال تۇتاشتۇرۇش ئوچاقنىڭ جەريانى يەنە بىر تۈركۈم كرېمنىيلىق ۋافېرنى بىرلا ۋاقىتتا قاچىلاش ئوچاقنىڭ رېئاكسىيە ئۆيىگە قاچىلاش ئۇسۇلىنى قوللىنىدۇ. رېئاكسىيە ئۆيىدە تىك قۇرۇلما ئورۇنلاشتۇرۇلغان بولۇپ ، كرېمنىيلىق ۋافېرنى گورىزونتال ھالەتتە كۋارتس كېمىسىگە ئورۇنلاشتۇرالايدۇ.
شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، كۋارتس كېمىسى رېئاكسىيە ئۆيىدە ئومۇمىي جەھەتتىن ئايلىنالايدىغان بولغاچقا ، رېئاكسىيە ئۆيىنىڭ تۇتاشتۇرۇش تېمپېراتۇرىسى بىردەك ، كرېمنىيلىق ۋافېرنىڭ تېمپېراتۇرىسىنىڭ تارقىلىشى بىردەك بولۇپ ، ئۇ ناھايىتى ياخشى تۇتاشتۇرۇش ئالاھىدىلىكىگە ئىگە. قانداقلا بولمىسۇن ، تىك ئۇلاش ئوچاقنىڭ جەريان تەننەرخى گورىزونتال ئۇلاش ئوچىقىنىڭكىدىن يۇقىرى.
تېز سۈرئەتلىك ئوچاق ئوچاق گالوگېن تۇڭگېن چىرىغىنى ئىشلىتىپ كرېمنىيلىق ۋافېرنى بىۋاسىتە قىزىتىدۇ ، بۇ 1 ~ 250 سېلسىيە گرادۇسقىچە كەڭ دائىرىدە تېز قىزىتىش ياكى سوۋۇتۇشنى ئەمەلگە ئاشۇرالايدۇ. ئىسسىنىش ياكى سوۋۇتۇش نىسبىتى ئەنئەنىۋى كۆيدۈرۈش ئوچىقىغا قارىغاندا تېز. رېئاكسىيە ئۆيىنىڭ تېمپېراتۇرىسىنى ° C 1100 تىن يۇقىرى قىزىتىش ئۈچۈن پەقەت بىر نەچچە سېكۇنتلا ۋاقىت كېتىدۇ.
—————————————————————————————— ——
Semicera تەمىنلەيدۇگرافىك زاپچاسلىرى,يۇمشاق / قاتتىق تۇيغۇ,كرېمنىي كاربون زاپچاسلىرى, CVD كرېمنىي كاربون زاپچاسلىرى, andSiC / TaC قاپلانغان زاپچاسلار30 كۈن ئىچىدە تولۇق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ جەريان بىلەن.
ئەگەر يۇقارقى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەھسۇلاتلىرىغا قىزىقسىڭىز ، ئالدى بىلەن بىز بىلەن ئالاقىلىشىڭ.
تېلېفون: + 86-13373889683
WhatsAPP: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
يوللانغان ۋاقتى: 26-ئاۋغۇستتىن 2024-يىلغىچە