SIC سىرلاشنىڭ تەييارلىق جەريانى

ھازىر ، تەييارلىق ئۇسۇللىرىSiC سىرئاساسلىقى گېلى ئېرىتىش ئۇسۇلى ، قىستۇرۇش ئۇسۇلى ، چوتكا سىرلاش ئۇسۇلى ، پلازما پۈركۈش ئۇسۇلى ، خىمىيىلىك ھورنىڭ رېئاكسىيە ئۇسۇلى (CVR) ۋە خىمىيىلىك پارنىڭ چۆكۈش ئۇسۇلى (CVD) قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.

قىستۇرما ئۇسۇلى
بۇ ئۇسۇل بىر خىل يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق قاتتىق فازىلىق سىنتلاش ئۇسۇلى بولۇپ ، ئاساسلىقى Si تالقىنى ۋە C پاراشوكىنى قىستۇرما پاراشوك ئورنىدا ئىشلىتىدۇ.گرافىك ماترىسساقىستۇرما پاراشوكتا ، ھەمدە ئىنېرت گازىدا يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا گۇناھكارلار ئاخىرىدا ئېرىشىدۇSiC سىرگرافت ماترىسسا يۈزىدە. بۇ ئۇسۇل جەرياندا ئاددىي ، سىر بىلەن ماترىسسا بىر-بىرىگە باغلانغان ، ئەمما قېلىنلىق يۆنىلىشىدىكى سىرنىڭ بىردەكلىكى ناچار ، تېخىمۇ كۆپ تۆشۈك ھاسىل قىلىش ئاسان ، ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ناچار.

چوتكىلاش ئۇسۇلى
چوتكىلاش سىرلاش ئۇسۇلى ئاساسلىقى گرافت ماترىسسا يۈزىدىكى سۇيۇق خام ماتېرىيالنى چوتكىلايدۇ ، ئاندىن خام ئەشيانى مەلۇم تېمپېراتۇرىدا مۇستەھكەملەپ سىرنى تەييارلايدۇ. بۇ ئۇسۇل جەرياندا ئاددىي ھەم تەننەرخى تۆۋەن ، ئەمما چوتكا سىرلاش ئۇسۇلى بىلەن تەييارلانغان سىرنىڭ ماترىسسا بىلەن بولغان رىشتىسى ئاجىز ، سىرنىڭ بىردەكلىكى ياخشى ئەمەس ، نېپىز سىر ۋە ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش كۈچى تۆۋەن بولۇپ ، ياردەم بېرىشنىڭ باشقا ئۇسۇللىرىنى تەلەپ قىلىدۇ.

پلازما پۈركۈش ئۇسۇلى
پلازما پۈركۈش ئۇسۇلى ئاساسلىقى پلازما مىلتىق ئىشلىتىپ ، ئېرىتىلگەن ياكى يېرىم ئېرىتىلگەن خام ئەشيالارنى گرافت ئاستى سۈيىنىڭ يۈزىگە پۈركۈپ ، ئاندىن مۇستەھكەملەپ ۋە باغلاپ سىر ھاسىل قىلىدۇ. بۇ ئۇسۇل مەشغۇلات قىلىش ئاددىي بولۇپ ، نىسبەتەن قويۇق تەييارلىق قىلالايدۇكرېمنىي كاربون سىر، ئەمماكرېمنىي كاربون سىربۇ خىل ئۇسۇل بىلەن تەييارلانغان كۈچلۈك ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى بەك ئاجىز ، شۇڭا ئۇ ئادەتتە SiC بىرىكمە يوپۇق تەييارلاپ ، سىرنىڭ سۈپىتىنى ئۆستۈرىدۇ.

Gel-sol ئۇسۇلى
گېلى ئېرىتىش ئۇسۇلى ئاساسلىقى تەكشى ۋە سۈزۈك ئېرىتمە ئېرىتمىسى تەييارلاپ ، يەر ئاستى سۈيىنىڭ يۈزىنى يېپىپ ، ئۇنى گېلىغا قۇرۇتىدۇ ، ئاندىن ئۇنى سىرلاپ سىرلايدۇ. بۇ ئۇسۇل مەشغۇلات قىلىش ئاددىي ھەم تەننەرخى تۆۋەن ، ئەمما تەييارلانغان سىرنىڭ تۆۋەن ئىسسىقلىق سوقۇشىغا قارشى تۇرۇش ۋە ئاسان يېرىلىش قاتارلىق كەمچىلىكى بار ، كەڭ كۆلەمدە ئىشلىتىشكە بولمايدۇ.

خىمىيىلىك ھورنىڭ رېئاكسىيە ئۇسۇلى (CVR)
CVR ئاساسلىقى Si ۋە SiO2 پاراشوكىنى يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئىشلىتىش ئارقىلىق SiO ھور ھاسىل قىلىدۇ ، C ماتېرىيالنىڭ ئاستى قىسمىدا بىر قاتار خىمىيىلىك رېئاكسىيەلەر يۈز بېرىپ ، SiC سىر ھاسىل قىلىدۇ. بۇ خىل ئۇسۇل بىلەن تەييارلانغان SiC قاپلاش ئاستى قىسمىغا زىچ باغلانغان ، ئەمما ئىنكاس تېمپېراتۇرىسى يۇقىرى ، تەننەرخىمۇ يۇقىرى.