Semicera ھەرخىل زاپچاسلار ۋە توشۇغۇچىلار ئۈچۈن مەخسۇس تانتال كاربون (TaC) سىر بىلەن تەمىنلەيدۇ.Semicera ئالدىنقى قاتاردىكى سىرلاش جەريانى تانتال كاربون (TaC) سىرلىرىنى يۇقىرى ساپلىق ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇقىملىقى ۋە خىمىيىلىك چىدامچانلىقىنى ئىشقا ئاشۇرۇپ ، SIC / GAN كىرىستاللىرى ۋە EPI قەۋىتىنىڭ مەھسۇلات سۈپىتىنى ئۆستۈرىدۇ.گرافىك قاپلانغان TaC سۈمۈرگۈچ) ، ۋە ئاساسلىق رېئاكتور زاپچاسلىرىنىڭ ئۆمرىنى ئۇزارتىدۇ. تانتال كاربون TaC سىرنى ئىشلىتىش قىرغاق مەسىلىسىنى ھەل قىلىش ۋە خرۇستالنىڭ ئۆسۈش سۈپىتىنى يۇقىرى كۆتۈرۈش بولۇپ ، Semicera Semicera بۆسۈش خاراكتېرلىك تانتال كاربون سىرلاش تېخنىكىسى (CVD) نى بۆسۈپ ئۆتۈپ ، خەلقئارا ئىلغار سەۋىيىگە يەتتى.
كۆپ يىللىق تەرەققىياتتىن كېيىن ، Semicera تېخنىكىسىنى بويسۇندۇردىCVD TaCتەتقىق قىلىپ ئېچىش بۆلۈمىنىڭ ئورتاق تىرىشچانلىقى بىلەن. SiC ۋافېرنىڭ ئۆسۈپ يېتىلىش جەريانىدا كەمتۈكلۈك ئاسان ، ئەمما ئىشلىتىپ بولغاندىن كېيىنTaC، پەرقى ناھايىتى مۇھىم. تۆۋەندە WaC بىلەن TaC يوق ، شۇنداقلا Simicera نىڭ يەككە خرۇستال ئۆسۈپ يېتىلىش زاپچاسلىرى سېلىشتۇرۇلدى
بىلەن ۋە TaC يوق
TaC نى ئىشلەتكەندىن كېيىن (ئوڭدا)
بۇنىڭدىن باشقا ، Semicera نىڭ TaC سىرلاش مەھسۇلاتلىرىنىڭ مۇلازىمەت ئۆمرى SiC سىرنىڭكىدىن يۇقىرى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىداملىق. ئۇزۇن ۋاقىت تەجرىبىخانا ئۆلچەش سانلىق مەلۇماتلىرىدىن كېيىن ، بىزنىڭ TaC ئەڭ يۇقىرى بولغاندا 2300 سېلسىيە گرادۇسقىچە ئۇزۇن ۋاقىت ئىشلىيەلەيدۇ. تۆۋەندىكى مىساللىرىمىز تۆۋەندىكىچە:
(1) PVT ئۇسۇلى ئارقىلىق SiC يەككە خرۇستال بىرىكمە ئۆسۈش ئۈسكۈنىسىنىڭ سىخېما دىئاگراممىسى (b) ئەڭ يۇقىرى TaC سىرلانغان ئۇرۇق تىرناق (SiC ئۇرۇقىنىمۇ ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ)
