كىرىمنىي كاربون (SiC)ئېلېكترونلۇق زاپچاسلارنىڭ كرېمنىيدىن تېز سۈرئەتتە ياقتۇرىدىغان تاللاشقا ئايلىنىۋاتىدۇ ، بولۇپمۇ كەڭ بەلۋاغ قوللىنىشچان پروگراممىلىرىدا. SiC كۈچەيتىلگەن توك ئۈنۈمى ، ئىخچام چوڭلۇق ، ئېغىرلىقنى تۆۋەنلىتىش ۋە ئومۇمىي سىستېما تەننەرخىنى تۆۋەنلىتىش بىلەن تەمىنلەيدۇ.
ئېلېكترون ۋە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتىدىكى يۇقىرى ساپلىقتىكى SiC پاراشوكىغا بولغان ئېھتىياج Semicera نىڭ يۇقىرى ساپلىق دەرىجىسىنى تەرەققىي قىلدۇرۇشىغا تۈرتكە بولدىSiC تالقىنى. Semicera نىڭ يۇقىرى ساپلىقتىكى SiC ئىشلەپچىقىرىشتىكى يېڭىلىق يارىتىش ئۇسۇلى پاراشوك نەتىجىسىدە مورفولوگىيەنىڭ ئۆزگىرىشىنى تېخىمۇ راۋانلاشتۇرىدۇ ، ماتېرىيال سەرپىياتىنىڭ ئاستا بولۇشى ۋە خرۇستال ئۆسۈش قۇرۇلمىسىدىكى مۇقىم ئېشىش كۆرۈنۈشىنى كۆرسىتىپ بېرىدۇ.
بىزنىڭ ساپلىقىمىز يۇقىرى بولغان SiC پاراشوكى ھەر خىل چوڭلۇقتا بولۇپ ، خېرىدارلارنىڭ ئېھتىياجىنى قاندۇرالايدۇ. تېخىمۇ كۆپ تەپسىلاتلار ۋە تۈرىڭىزنى مۇزاكىرە قىلىش ئۈچۈن Semicera بىلەن ئالاقىلىشىڭ.
1. بۆلەك چوڭلۇقى دائىرىسى:
سۇ ئاستى پاراخوتىنى مىللىمېتىر تارازىغا يېپىش.
2. پاراشوك ساپلىقى
4N سىناق دوكلاتى
3. پاراشوك خرۇستال
سۇ ئاستى پاراخوتىنى مىللىمېتىر تارازىغا يېپىش.
4. مىكروسكوپ مورفولوگىيىسى
5. ماكروسكوپ مورفولوگىيىسى
