ئاتوم قەۋىتىنىڭ چۆكۈشى (ALD) خىمىيىلىك ھور چۆكۈش تېخنىكىسى بولۇپ ، ئىككى ياكى ئۇنىڭدىن كۆپ ئالدىدىكى مولېكۇلانى ئالمىشىپ ئوكۇل قىلىپ نېپىز پەردىلەرنى قاتلاممۇ-قاتلام ئۆستۈرىدۇ. ALD يۇقىرى كونترول قىلىش ۋە بىردەك بولۇشتەك ئەۋزەللىككە ئىگە بولۇپ ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىسى ، ئوپتىكىلىق ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ، ئېنېرگىيە ساقلاش ئۈسكۈنىلىرى ۋە باشقا ساھەلەردە كەڭ كۆلەمدە ئىشلىتىشكە بولىدۇ. ALD نىڭ ئاساسلىق پرىنسىپلىرى ئالدىنئالا سۈمۈرۈلۈش ، يەر يۈزىنىڭ ئىنكاسى ۋە مەھسۇلاتتىن چىقىرىۋېتىشنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ ، بۇ باسقۇچلارنى دەۋرىيلىكتە تەكرارلاش ئارقىلىق كۆپ قاتلاملىق ماتېرىياللارنى ھاسىل قىلغىلى بولىدۇ. ALD يۇقىرى كونترول قىلىشچانلىقى ، بىردەكلىكى ۋە تۆشۈكسىز قۇرۇلمىنىڭ ئالاھىدىلىكى ۋە ئەۋزەللىكىگە ئىگە بولۇپ ، ھەر خىل تارماق ماتېرىياللار ۋە ھەر خىل ماتېرىياللارنى چۆكۈشكە ئىشلىتىشكە بولىدۇ.
ALD نىڭ تۆۋەندىكى ئالاھىدىلىكلىرى ۋە ئەۋزەللىكى بار:
1. كونترول قىلىشچانلىقى يۇقىرى:ALD قاتلاممۇ-قاتلام ئۆسۈپ يېتىلىش جەريانى بولغاچقا ، ھەر بىر قەۋەت ماتېرىيالنىڭ قېلىنلىقى ۋە تەركىبىنى كونترول قىلغىلى بولىدۇ.
2. بىردەكلىكى:ALD ماتېرىياللارنى پۈتكۈل يەر ئاستى يۈزىگە بىردەك ساقلىيالايدۇ ، باشقا چۆكۈش تېخنىكىسىدا كۆرۈلىدىغان تەكشىسىزلىكتىن ساقلىنالايدۇ.
3. غەيرى پۇراق قۇرۇلمىسى:ALD يەككە ئاتوم ياكى يەككە مولېكۇلا بىرلىكىگە قويۇلغان بولغاچقا ، ھاسىل بولغان فىلىم ئادەتتە قويۇق ، تۆشۈكسىز قۇرۇلمىغا ئىگە.
4. قاپلاش ئۈنۈمى ياخشى:ALD يۇقىرى تەرەپتىكى نىسبەت قۇرۇلمىسىنى ئۈنۈملۈك قاپلىيالايدۇ ، مەسىلەن نانوپور گۇرۇپپىسى ، يۇقىرى جاراڭلىق ماتېرىيال قاتارلىقلار.
5. كېڭەيتىشچانلىقى:ALD مېتال ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ، ئەينەك قاتارلىق ھەر خىل تارماق ماتېرىياللارغا ئىشلىتىلىدۇ.
6. كۆپ خىللىقى:ئوخشىمىغان ئالدىنئالا مولېكۇلالىرىنى تاللاش ئارقىلىق ALD جەريانىدا مېتال ئوكسىد ، سۇلفىد ، نىترىد قاتارلىق ھەر خىل ماتېرىياللارنى قويغىلى بولىدۇ.
