2 ″ گاللىي ئوكسىد سۇيۇقلۇقى

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

2 ″ گاللىي ئوكسىد سۇيۇقلۇقى- يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىڭىزنى Semicera نىڭ ئەلا سۈپەتلىك 2 ″ Gallium Oxide Substrates بىلەن ئەلالاشتۇرۇڭ ، ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ۋە UV قوللىنىشچان پروگراممىلىرىنىڭ ئەۋزەللىكى ئۈچۈن لايىھەلەنگەن.


مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

Semiceraتەمىنلەشكە ھاياجانلاندى2 "گاللىي ئوكسىد سۇيۇقلۇقىئىلغار يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئىقتىدارىنى يۇقىرى كۆتۈرۈش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن ئالدىنقى قاتاردىكى ماتېرىيال. گاللىي ئوكسىد (Ga) دىن ياسالغان بۇ تارماق ئېلېمېنتلار2O3) ، دەرىجىدىن تاشقىرى كەڭ بەلۋاغلىق بەلۋاغنى ئىشلىتىپ ، ئۇلارنى يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ، يۇقىرى چاستوتىلىق ۋە ئۇلترا بىنەپشە نۇرلۇق ئېلېكترونلۇق قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ كۆڭۈلدىكىدەك تاللىشىغا ئايلاندۇرىدۇ.

 

ئاساسلىق ئالاھىدىلىكى:

• ئۇلترا كەڭ بەلۋاغ: The2 "گاللىي ئوكسىد سۇيۇقلۇقىتەخمىنەن 4.8 eV لىق ئالاھىدە بەلۋاغ بىلەن تەمىنلەڭ ، تېخىمۇ يۇقىرى بېسىم ۋە تېمپېراتۇرا مەشغۇلاتىغا شارائىت ھازىرلاپ ، كرېمنىيغا ئوخشاش ئەنئەنىۋى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارنىڭ ئىقتىدارىدىن زور دەرىجىدە ئېشىپ كەتتى.

ئالاھىدە بۇزۇلۇش بېسىمى.

مۇنەۋۋەر ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى: يۇقىرى ئىسسىقلىق مۇقىملىقى بىلەن ، بۇ تارماق ئېلېمېنتلار ھەتتا ئىنتايىن يۇقىرى ئىسسىقلىق مۇھىتىدىمۇ ئىزچىل ئىقتىدارنى ساقلايدۇ ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرا ئىشلىتىشكە ماس كېلىدۇ.

ئەلا سۈپەتلىك ماتېرىيال: The2 "گاللىي ئوكسىد سۇيۇقلۇقىتۆۋەن نۇقسان زىچلىقى ۋە يۇقىرى كىرىستاللىق سۈپەت بىلەن تەمىنلەپ ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىڭىزنىڭ ئىشەنچلىك ۋە ئۈنۈملۈك ئىشلىشىگە كاپالەتلىك قىلىڭ.

كۆپ خىل قوللىنىشچان پروگراممىلار.

 

Semicera نىڭ يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنىڭ تولۇق يوشۇرۇن كۈچىنى ئېچىڭ2 "گاللىي ئوكسىد سۇيۇقلۇقى. بىزنىڭ تارماق پروگراممىلىرىمىز بۈگۈنكى ئىلغار قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ ئېھتىياجىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن بولۇپ ، يۇقىرى ئۈنۈم ، ئىشەنچلىك ۋە ئۈنۈمگە كاپالەتلىك قىلىدۇ. يېڭىلىق يارىتىشنى ئىلگىرى سۈرىدىغان زامانىۋى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى ئۈچۈن Semicera نى تاللاڭ.

تۈرلەر

ئىشلەپچىقىرىش

تەتقىقات

Dummy

خىرۇستال پارامېتىرلار

Polytype

4H

Surface يۆنىلىش خاتالىقى

<11-20> 4 ± 0.15 °

ئېلېكتر پارامېتىرلىرى

Dopant

n تىپلىق ئازوت

قارشىلىق

0.015-0.025ohm · cm

مېخانىكىلىق پارامېتىرلار

دىئامېتىرى

150.0 ± 0.2mm

قېلىنلىق

350 ± 25 mm

دەسلەپكى تەكشى يۆنىلىش

[1-100] ± 5 °

دەسلەپكى تەكشى ئۇزۇنلۇق

47.5 ± 1.5mm

ئىككىلەمچى تەكشى

ياق

TTV

≤5 mm

≤10 mm

≤15 mm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 mm (5mm * 5mm)

≤10 mm (5mm * 5mm)

Bow

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 mm

≤55 mm

ئالدى (Si-face) يىرىكلىكى (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

قۇرۇلمىسى

مىكروپنىڭ زىچلىقى

<1 ea / cm2

<10 ea / cm2

<15 ea / cm2

مېتال بۇلغانمىلار

≤5E10atoms / cm2

NA

BPD

001500 ea / cm2

0003000 ea / cm2

NA

TSD

00500 ea / cm2

0001000 ea / cm2

NA

ئالدى سۈپەت

ئالدى

Si

Surface تامام

Si-face CMP

Particles

≤60ea / wafer (size≥0.3μm)

NA

سىزىلغان

≤5ea / mm. جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى ≤ دىئامېتىرى

جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى≤2 * دىئامېتىرى

NA

ئاپېلسىن پوستى / ئورەك / داغ / داغ / يېرىق / بۇلغىنىش

ياق

NA

قىرلىق ئۆزەك / كۆرسەتكۈچ / سۇنۇق / ئالتە تەرەپلىك تەخسە

ياق

كۆپ قۇتۇپلۇق رايونلار

ياق

جۇغلانما رايونى% 20

جۇغلانما رايونى% 30

ئالدى لازېر بەلگىسى

ياق

ئارقا سۈپەت

قايتىش

C-face CMP

سىزىلغان

≤5ea / mm ، جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى ≤2 * دىئامېتىرى

NA

ئارقا كەمتۈكلۈك (قىرلىق ئۆزەك / كۆرسەتكۈچ)

ياق

ئارقا قوپاللىق

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

ئارقا لازېر بەلگىسى

1 مىللىمېتىر (ئۈستى قىردىن)

Edge

Edge

Chamfer

ئورالما

ئورالما

ۋاكۇئۇم ئورالمىسى بىلەن Epi تەييار

كۆپ ۋافېرلىق قەغەز ئورالمىسى

* ئىزاھات NA «NA» تەلەپ قىلىنمىغان تۈرلەرنىڭ SEMI-STD نى كۆرسىتىدۇ.

tech_1_2_size
SiC wafers

  • ئالدىنقى:
  • كېيىنكى: